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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS159N E6327由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS159N E6327价格参考。InfineonBSS159N E6327封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3。您可以下载BSS159N E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS159N E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的BSS159N E6327是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - BSS159N适用于低功率开关电源中的开关元件,用于控制电压和电流的转换。 - 其低导通电阻(Rds(on))特性使其在高频开关应用中表现优异,能够减少功耗并提高效率。 2. 负载开关 - 在便携式设备(如手机、平板电脑等)中,BSS159N可用作负载开关,实现对不同电路模块的供电控制。 - 它能够快速响应并提供稳定的电流输出,同时降低功耗。 3. 电机驱动 - 该MOSFET可用于小型直流电机的驱动电路,例如玩具、风扇或微型机器人中的电机控制。 - 通过PWM(脉宽调制)技术,BSS159N可以调节电机的速度和方向。 4. 信号切换 - 在音频、视频或其他信号处理电路中,BSS159N可以用作信号切换元件,实现多路信号的选择和传输。 - 其低电容特性和快速开关速度适合高频信号切换应用。 5. 电池管理 - 在锂电池保护电路中,BSS159N可作为充放电路径的开关,防止过充、过放或短路等问题。 - 它的小封装尺寸(SOT-23)非常适合空间受限的电池管理系统。 6. LED驱动 - 用于驱动单个或多个LED,尤其是在需要精确电流控制的情况下。 - BSS159N的低导通电阻有助于减少发热,从而提高LED的亮度和寿命。 7. 保护电路 - 在过流保护、短路保护和热保护电路中,BSS159N可以作为关键元件,确保系统安全运行。 - 它能够在异常情况下迅速切断电流路径,避免损坏其他元器件。 总结 BSS159N E6327凭借其小尺寸、低导通电阻和高可靠性,成为消费电子、工业控制和汽车电子等领域中理想的MOSFET选择。其应用场景涵盖电源管理、信号处理、电机驱动和保护电路等多个方面,尤其适合低功率和高效率的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 耗尽模式 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSS159N_Rev1.32.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42efc1b4ad3 |
产品图片 | |
产品型号 | BSS159N E6327 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | SIPMOS® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 26µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 44pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.9nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.5 欧姆 @ 160mA,10V |
供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
其它名称 | BSS159NE6327XT |
功率-最大值 | 360mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 230mA (Ta) |