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  • 型号: BSS159N E6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSS159N E6327由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS159N E6327价格参考。InfineonBSS159N E6327封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3。您可以下载BSS159N E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS159N E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的BSS159N E6327是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - BSS159N适用于低功率开关电源中的开关元件,用于控制电压和电流的转换。
   - 其低导通电阻(Rds(on))特性使其在高频开关应用中表现优异,能够减少功耗并提高效率。

 2. 负载开关
   - 在便携式设备(如手机、平板电脑等)中,BSS159N可用作负载开关,实现对不同电路模块的供电控制。
   - 它能够快速响应并提供稳定的电流输出,同时降低功耗。

 3. 电机驱动
   - 该MOSFET可用于小型直流电机的驱动电路,例如玩具、风扇或微型机器人中的电机控制。
   - 通过PWM(脉宽调制)技术,BSS159N可以调节电机的速度和方向。

 4. 信号切换
   - 在音频、视频或其他信号处理电路中,BSS159N可以用作信号切换元件,实现多路信号的选择和传输。
   - 其低电容特性和快速开关速度适合高频信号切换应用。

 5. 电池管理
   - 在锂电池保护电路中,BSS159N可作为充放电路径的开关,防止过充、过放或短路等问题。
   - 它的小封装尺寸(SOT-23)非常适合空间受限的电池管理系统。

 6. LED驱动
   - 用于驱动单个或多个LED,尤其是在需要精确电流控制的情况下。
   - BSS159N的低导通电阻有助于减少发热,从而提高LED的亮度和寿命。

 7. 保护电路
   - 在过流保护、短路保护和热保护电路中,BSS159N可以作为关键元件,确保系统安全运行。
   - 它能够在异常情况下迅速切断电流路径,避免损坏其他元器件。

 总结
BSS159N E6327凭借其小尺寸、低导通电阻和高可靠性,成为消费电子、工业控制和汽车电子等领域中理想的MOSFET选择。其应用场景涵盖电源管理、信号处理、电机驱动和保护电路等多个方面,尤其适合低功率和高效率的需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

产品分类

FET - 单

FET功能

耗尽模式

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSS159N_Rev1.32.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42efc1b4ad3

产品图片

产品型号

BSS159N E6327

PCN过时产品

点击此处下载产品Datasheet

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

SIPMOS®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.4V @ 26µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

44pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

2.9nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.5 欧姆 @ 160mA,10V

供应商器件封装

PG-SOT23-3

其它名称

BSS159NE6327XT
SP000014638

功率-最大值

360mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

230mA (Ta)

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